SiC bevonatú kollektortető Aixtronhoz
A Semixlab SiC bevonatú kollektorteteje az Aixtronhoz kulcsfontosságú alkatrész, amelyet az Aixtron MOCVD rendszereihez szabtak. Nagy tisztaságú szilícium-karbid (SiC) bevonatot használ, kiváló hőállósággal, korrózióállósággal és hőstabilitással rendelkezik. A szennyeződés szabályozásának és az epitaxiális üreg hőegyenletességének fenntartásának központi elemeként pótolhatatlan szerepet játszik a harmadik generációs félvezető anyagok, például a GaN és a SiC epitaxiális növekedési folyamatában. Ez a termék nemcsak hatékonyan csökkenti a részecskeszennyeződést és javítja az epitaxiális réteg minőségét, hanem jelentősen meghosszabbítja a berendezés működési ciklusát is. Kulcsfontosságú megoldás a hatékony és megbízható epitaxiális folyamatok biztosítására.
Leírás
A Semixlab a TaC és SiC bevonatok gyártásában szerzett sokéves tapasztalattal széles választékban kínál SiC bevonatú kollektortetőket, kollektorközéppontokat és kollektoraljakat az Aixtron rendszerekhez. A kiváló minőségű SiC bevonatú kollektortetők számos alkalmazási területet kielégítenek, ha szüksége van rá, kérjük, vegye igénybe online, időben történő szolgáltatásunkat a szilícium-karbid bevonatú kollektortetőkkel kapcsolatban. Az alábbi terméklistán kívül testreszabhatja saját, egyedi SiC bevonatú kollektortetőjét is az Ön igényei szerint.
A félvezetőgyártási folyamat három alapvető alkotóeleme a SiC bevonatú kollektor teteje, a SiC bevonatú kollektor közepe és a SiC bevonatú kollektor alja. Beszéljünk külön-külön az egyes termékekről:

1. SiC bevonatú kollektor teteje
Az Aixtron szilícium-karbid SiC bevonatú kollektor teteje kulcsszerepet játszik a félvezető leválasztási folyamatában. Tartószerkezetként szolgál a lerakódott anyag számára, segítve az egyenletesség és a stabilitás fenntartását a leválasztás során. Segíti a hőszabályozást is, hatékonyan elvezetve a folyamat során keletkező hőt. A kollektor teteje biztosítja a lerakódott anyag megfelelő elrendezését és eloszlását, ami kiváló minőségű és egyenletes filmnövekedést eredményez.
2. SiC bevonatú gyűjtőközpont
1) Légáramlás-irányító funkció: A reakciókamra közepén elhelyezkedő SiC bevonatú gyűjtőközpont segít optimalizálni a gázáramlási mező eloszlását az MOCVD folyamatban, ezáltal javítva az epitaxiális leválasztás egyenletességét.
2) Szennyeződő részecskék keletkezésének gátlása: A középpont az a terület, ahol a prekurzor reagensek koncentrációja és a melléktermékek felhalmozódása viszonylag koncentrált. A SiC bevonat használata hatékonyan csökkentheti az üledékek tapadását és a részecskeszennyeződés kockázatát.
3. SiC bevonatú kollektor alja
1) Üledékgyűjtő terület: A reakciókamra alján található, fő funkciója a felesleges prekurzorok és melléktermékek összegyűjtése, hogy megakadályozza azok újrahasznosítását vagy szennyeződését.
2) Szerkezeti tartó és hővédő funkció: Az alsó szerkezetnek el kell viselnie a berendezés súlyát és a hőterhelést. A SiC szilárdsága és hőstabilitása biztosítja, hogy hosszú távú használat során ne deformálódjon vagy ne váljon le.
A kollektor tetején, közepén és alján található SiC bevonat kiváló hőkezelési képességeket biztosít, hatékony hőelvezetést és optimális folyamathőmérsékletet biztosít. Kiváló vegyszerállósággal is rendelkezik, védi az alkatrészeket a korrozív környezettől és meghosszabbítja élettartamukat. A SiC bevonatok tulajdonságai segítenek javítani a félvezetőgyártási folyamatok stabilitását, csökkenteni a hibákat és javítani a film minőségét.
SPECIFIKÁCIÓK
| A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai | |
| Ingatlanok | Tipikus érték |
| Kristályos szerkezet | FCC β fázisú polikristályos, főként (111) orientációjú |
| Sűrűség | 3.21 g / cm3 |
| Keménység | 2500 Vickers keménység (500 g-os terhelés) |
| Szemcseméret | 2 ~ 10μm |
| Kémiai tisztaság | 99.99995% |
| Hőkapacitás | 640 J·kg-1·K-1 |
| Szublimációs hőmérséklet | 2700 ℃ |
| Hajlító szilárdság | 415 MPa RT 4-pontos |
| Young modulusa | 430 Gpa 4pt hajlítás, 1300 ℃ |
| Hővezető | 300W·m-1·K-1 |
| Hőtágulás (CTE) | 4.5 × 10-6K-1 |
A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai

Alkalmazási területek
A félvezető chip epitaxiális iparági láncának áttekintése:

Semixlab termékbolt
Semixlab termékboltok


EN
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ





