Minden kategória
CVD szilícium-karbid (SiC) bevonat
SiC bevonatú kollektortető Aixtronhoz
SiC bevonatú kollektorfedél Aixtronhoz
SiC bevonatú kollektortető Aixtronhoz
SiC bevonatú kollektorfedél Aixtronhoz

SiC bevonatú kollektortető Aixtronhoz


A Semixlab SiC bevonatú kollektorteteje az Aixtronhoz kulcsfontosságú alkatrész, amelyet az Aixtron MOCVD rendszereihez szabtak. Nagy tisztaságú szilícium-karbid (SiC) bevonatot használ, kiváló hőállósággal, korrózióállósággal és hőstabilitással rendelkezik. A szennyeződés szabályozásának és az epitaxiális üreg hőegyenletességének fenntartásának központi elemeként pótolhatatlan szerepet játszik a harmadik generációs félvezető anyagok, például a GaN és a SiC epitaxiális növekedési folyamatában. Ez a termék nemcsak hatékonyan csökkenti a részecskeszennyeződést és javítja az epitaxiális réteg minőségét, hanem jelentősen meghosszabbítja a berendezés működési ciklusát is. Kulcsfontosságú megoldás a hatékony és megbízható epitaxiális folyamatok biztosítására.

Leírás

A Semixlab a TaC és SiC bevonatok gyártásában szerzett sokéves tapasztalattal széles választékban kínál SiC bevonatú kollektortetőket, kollektorközéppontokat és kollektoraljakat az Aixtron rendszerekhez. A kiváló minőségű SiC bevonatú kollektortetők számos alkalmazási területet kielégítenek, ha szüksége van rá, kérjük, vegye igénybe online, időben történő szolgáltatásunkat a szilícium-karbid bevonatú kollektortetőkkel kapcsolatban. Az alábbi terméklistán kívül testreszabhatja saját, egyedi SiC bevonatú kollektortetőjét is az Ön igényei szerint.

A félvezetőgyártási folyamat három alapvető alkotóeleme a SiC bevonatú kollektor teteje, a SiC bevonatú kollektor közepe és a SiC bevonatú kollektor alja. Beszéljünk külön-külön az egyes termékekről:

nem definiált

1. SiC bevonatú kollektor teteje

Az Aixtron szilícium-karbid SiC bevonatú kollektor teteje kulcsszerepet játszik a félvezető leválasztási folyamatában. Tartószerkezetként szolgál a lerakódott anyag számára, segítve az egyenletesség és a stabilitás fenntartását a leválasztás során. Segíti a hőszabályozást is, hatékonyan elvezetve a folyamat során keletkező hőt. A kollektor teteje biztosítja a lerakódott anyag megfelelő elrendezését és eloszlását, ami kiváló minőségű és egyenletes filmnövekedést eredményez.

2. SiC bevonatú gyűjtőközpont

1) Légáramlás-irányító funkció: A reakciókamra közepén elhelyezkedő SiC bevonatú gyűjtőközpont segít optimalizálni a gázáramlási mező eloszlását az MOCVD folyamatban, ezáltal javítva az epitaxiális leválasztás egyenletességét.

2) Szennyeződő részecskék keletkezésének gátlása: A középpont az a terület, ahol a prekurzor reagensek koncentrációja és a melléktermékek felhalmozódása viszonylag koncentrált. A SiC bevonat használata hatékonyan csökkentheti az üledékek tapadását és a részecskeszennyeződés kockázatát.

3. SiC bevonatú kollektor alja

1) Üledékgyűjtő terület: A reakciókamra alján található, fő funkciója a felesleges prekurzorok és melléktermékek összegyűjtése, hogy megakadályozza azok újrahasznosítását vagy szennyeződését.

2) Szerkezeti tartó és hővédő funkció: Az alsó szerkezetnek el kell viselnie a berendezés súlyát és a hőterhelést. A SiC szilárdsága és hőstabilitása biztosítja, hogy hosszú távú használat során ne deformálódjon vagy ne váljon le.

A kollektor tetején, közepén és alján található SiC bevonat kiváló hőkezelési képességeket biztosít, hatékony hőelvezetést és optimális folyamathőmérsékletet biztosít. Kiváló vegyszerállósággal is rendelkezik, védi az alkatrészeket a korrozív környezettől és meghosszabbítja élettartamukat. A SiC bevonatok tulajdonságai segítenek javítani a félvezetőgyártási folyamatok stabilitását, csökkenteni a hibákat és javítani a film minőségét.

SPECIFIKÁCIÓK
A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai
Ingatlanok Tipikus érték
Kristályos szerkezet FCC β fázisú polikristályos, főként (111) orientációjú
Sűrűség 3.21 g / cm3
Keménység 2500 Vickers keménység (500 g-os terhelés)
Szemcseméret 2 ~ 10μm
Kémiai tisztaság 99.99995%
Hőkapacitás 640 J·kg-1·K-1
Szublimációs hőmérséklet 2700 ℃
Hajlító szilárdság 415 MPa RT 4-pontos
Young modulusa 430 Gpa 4pt hajlítás, 1300 ℃
Hővezető 300W·m-1·K-1
Hőtágulás (CTE) 4.5 × 10-6K-1


A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai

nem definiált

Alkalmazási területek

A félvezető chip epitaxiális iparági láncának áttekintése:

Semixlab termékbolt

Semixlab termékboltok

ÉRDEKLŐDÉS

Forró kategóriák