Gyors hőkezeléses szuszceptor
A Semixlab gyors hőkezeléses (RTA) szuszceptora egy kritikus RTP-alkatrész, amelyet úgy terveztek, hogy stabil és egyenletes hőteljesítményt biztosítson a magas hőmérsékletű, rövid időtartamú félvezető folyamatok során. A szuszceptor rendkívül nagy tisztaságú grafitból készül, és inert szilícium-karbid (SiC) bevonattal van ellátva, így kiváló hőeloszlást, hősokkkal szembeni ellenállást és csökkentett részecskeképződést biztosít. Úgy tervezték, hogy támogassa a fejlett RTP-alkalmazásokat, mint például az adalékoló aktiválást, a szilicidképződést és a dielektromos hőkezelést. Szívesen fogadjuk megkereséseiket.
Leírás
A fejlett félvezető eljárásokban a gyors hőkezelés (RTP) kritikus szerepet játszik a precíz hőszabályozás elérésében az adalékanyag aktiválásakor, a szilicidképződésnél és a dielektromos lágyításnál. Minden RTA rendszer középpontjában a gyors hőkezeléses szuszceptor kulcsfontosságú hővezető felületként szolgál a hőforrás és a szilícium ostyák között, közvetlenül befolyásolva a hőmérséklet egyenletességét és a folyamat stabilitását. A Semixlab RTA szuszceptorát magas hőmérsékletű, rövid időtartamú hőciklusokra tervezték, biztosítva a következetes és megismételhető hőátadást a fejlett gyors hőkezelési (RTP) technikákban megszokott gyors melegítési és hűtési körülmények között.
A Semixlab SiC-bevonatú grafit szuszceptora ultra-nagy tisztaságú grafitból készül, kivételes hővezető képességgel és szabályozott hőtömeggel rendelkezik a gyors hőmérséklet-reakció érdekében, miközben minimalizálja a hőkésést. A grafit hordozót inert szilícium-karbid (SiC) védőréteggel vonják be, amely fokozza a felületi stabilitást, gátolja a részecskék képződését, és jelentősen javítja a hősokkkal, oxidációval és kémiai korrózióval szembeni ellenállást.
Az RTP folyamatokban az RTA szuszceptor kritikus szerepet játszik a hőtér stabilizálásában a lapka felületén. A sugárzó energia hatékony elnyelésével és egyenletes újrakibocsátásával a szuszceptor minimalizálja a hőmérsékleti gradienseket mind a lapkákon belül, mind a lapkák között. Ez az egyenletesség elengedhetetlen a vékonyréteg-ellenállás pontos szabályozásához az ionimplantációs aktiválás során, a fázisstabilitás fenntartásához a fém-szilicid képződése során, valamint az egyenetlen filmfeszültség megelőzéséhez a dielektromos hőkezelés során.
A Semixlab szeletfűtő szuszceptorát úgy optimalizálták, hogy kompatibilis legyen a hagyományos RTP és RTA berendezésekkel, és mind a 200 mm-es, mind a 300 mm-es szeletméreteket támogatja. SiC-bevonatú felülete alacsony gázkibocsátást és kiváló emissziós stabilitást mutat ismételt hőciklusok során, ami segít fenntartani a pontos hőmérséklet-kalibrációt és csökkenti a berendezések szennyeződés vagy karbantartás miatti állásidejét.
Gyártási szempontból a Semixlab gyors hőkezeléses szuszceptora kritikus folyamatkomponens, amely befolyásolja az elektromos egyenletességet, a hibaszázalékot és az általános berendezéshatékonyságot (OEE). A nagy tisztaságú anyagok, a bevált bevonattechnológia és a folyamatorientált tervezés integrálásával a Semixlab egy fejlett RTA szubsztrát megoldást kínál, amely stabil hőteljesítményt biztosít, minimalizálja a részecskeszennyeződés kockázatát, és hosszú távú folyamatstabilitást ér el. Ami még ennél is fontosabb, a Semixlab elkötelezett amellett, hogy élvonalbeli technológiát és testreszabott RTA szuszceptor megoldásokat biztosítson a félvezető RTP folyamatokhoz. Őszintén reméljük, hogy hosszú távú partnerei lehetünk Kínában.
Szolgáltatásaink

Semixlab termékbolt


EN
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ





