SiC bevonatú ostya-szuszceptor

A SiC-bevonatú wafer-szuszceptor kulcsfontosságú alkatrész a magas hőmérsékletű folyamatokban, például félvezetőkben, LED-ekben és fotovoltaikus elemekben. Főként waferek (például Si, GaN, SiC, zafír és más szubsztrátok) hordozására és melegítésére használják olyan folyamatokban, mint a kémiai gőzfázisú leválasztás (CVD), a fémorganikus kémiai gőzfázisú leválasztás (MOCVD) és az epitaxia. A SiC-bevonat kiváló magas hőmérsékleti ellenállást, korrózióállóságot és hőstabilitást biztosít, és alkalmas zord technológiai környezetekre.

Alkalmazás:

A SiC (szilícium-karbid) bevonatú szelet-szuszceptor kulcsfontosságú alkatrész, amelyet széles körben használnak a félvezetőgyártásban és a magas hőmérsékletű folyamatokban, főként szeletek tartására és melegítésére.

Nyújtható szolgáltatások:

Ügyfélalkalmazás-forgatókönyv elemzés, anyagok illesztése, műszaki problémamegoldás.

Cégprofil：

A Semixlab 2 laboratóriummal, egy 20 éves anyagismerettel rendelkező szakértői csapattal, K+F, valamint gyártási, tesztelési és ellenőrzési képességekkel rendelkezik.

Műszaki paraméterek

Fő alkalmazási területek

Ökológiai lánc ellenőrzésének jóváhagyása

A Semixlab SiC bevonatú ostya-szuszceptor megfelelt a nemzetközi szabványellenőrzésen, minőségét hivatalosan elismerték, és számos szabadalmaztatott technológiával rendelkezik, így a SiC bevonat tisztasága meghaladja a 99.9999%-ot.

Tipikus jelentkezési folyamat

Grafit hordozó feldolgozása → Felület előkezelés → SiC bevonat előkészítése → Utófeldolgozás → Minőségellenőrzés → Tisztítás és csomagolás

A legmodernebb folyamatparaméter-optimalizálásnak köszönhetően a Semixlab SiC bevonatú szelet-szuszceptor jelentős technológiai áttörést ért el a csúcskategóriás félvezető epitaxiális alkalmazásokban. Ez az innováció lehetővé tette a fokozatos importhelyettesítést a félvezető piacon, nagy teljesítményű, költséghatékony hazai megoldást kínálva. Szuszceptorainkat sikeresen alkalmazták epitaxiális növekedési forgatókönyvekben, például GaN, SiC, LED és teljesítményeszközökben, kivételes hőstabilitást, egyenletességet és hosszú élettartamot mutatva – ezek kulcsfontosságú tényezők a nagy hozamú epitaxiális folyamatokhoz.

Részletes műszaki leírásokért, tanulmányokért vagy mintavizsgálati eljárásokért kérjük, vegye fel a kapcsolatot Műszaki Támogatási Csapatunkkal, hogy megtudja, hogyan növelheti a Semixlab az epitaxiális folyamatok hatékonyságát.

A Semixlab SiC bevonatú ostya-szuszceptor mag előnyei

Kiváló magas hőmérsékleti ellenállás

Magas hőmérsékleti stabilitás: A SiC olvadáspontja akár 2700 ℃, és hosszú ideig stabilan működhet 1000 ℃ ~ 1600 ℃ közötti folyamatkörnyezetben (például CVD, MOCVD, epitaxiális növekedés stb.), ami sokkal jobb, mint a rozsdamentes acél vagy alumíniumötvözet hordozók. Alacsony hőtágulási együtthatója van, nem könnyen deformálódik magas hőmérsékleten, és megőrzi az ostya pozicionálási pontosságát.

Hősokk-állóság: A SiC magas hővezető képességgel rendelkezik, gyorsan és egyenletesen képes elvezetni a hőt, és csökkenti a hirtelen hőmérséklet-változások okozta repedések kockázatát (tartósabb, mint a grafit).

Kiváló korrózió- és szennyeződésállóság

Ellenáll a korrozív gázoknak, például a HCl-nek, H2-nek, NH3-nak (gyakoriak a maratásban és az epitaxiális folyamatokban), megakadályozva a hordozó korrodálódását és a részecskeszennyeződést. Erős antioxidációs teljesítmény, stabilabb, mint a grafit magas hőmérsékletű, oxigéntartalmú környezetben (a grafit bevonatvédelmet igényel, míg maga a SiC ellenáll az oxidációnak). A SiC bevonat több mint 99.9999%-os (6N) tisztaságot érhet el, megakadályozva, hogy a fémszennyeződések (például Fe, Ni) szennyezzék a lapkát, és különösen alkalmas szilícium alapú és széles tiltott sávú félvezetők (GaN, SiC) gyártásához.

Kiváló hővezető képesség és hőegyenletesség

A gyors hővezetés biztosítja a lapka egyenletes felmelegedését (csökkenti az egyenetlen vastagságot az epitaxiális növekedés során). Alkalmas gyors hőmérséklet-emelkedési és -csökkenési folyamatokhoz (például RTP gyors hőkezelés) a termelési hatékonyság javítása érdekében. A SiC hőtágulási együtthatója közel áll a szilícium (Si) és szilícium-karbid (SiC) lapkákéhoz, csökkentve a hőfeszültség okozta rácshibákat.

Kompatibilitás és tervezési rugalmasság

A SiC bevonatok olyan hordozókra vihetők fel, mint a grafit, a molibdén és a szénszál, figyelembe véve mind a könnyűséget, mind a nagy szilárdságot. CVD vagy porlasztási eljárásokkal komplex hordozószerkezetek (például porózus szerkezetek és beágyazott fűtőelemek) hozhatók létre.