CVD tantál-karbid (TaC) bevonat

A TaC bevonatot általában akkor fontolóra veszik, amikor a SiC eléri a határait. Ez gyakrabban fordul elő SiC epitaxia vagy kristálynövekedés során, ahol mind a hőmérséklet, mind a folyamatatmoszféra nagyobb igényeket támaszt.

A sokkal magasabb olvadáspontnak köszönhetően a TaC jobban tűri a hosszabb ideig tartó magas hőmérsékletű expozíciót, különösen hidrogén vagy HCl környezetben. A gyakorlatban ez olyan folyamatokban jelent különbséget, mint a PVT növekedése, ahol a termikus stabilitás közvetlenül befolyásolja a kristályminőséget.

Tipikus alkalmazások közé tartoznak az áramlásvezető gyűrűk, a vetőmagtartók, a tégelyhez kapcsolódó alkatrészek és a hőtérben lévő egyéb szerkezetek. Ezek az alkatrészek hosszú ideig zord körülményeknek vannak kitéve, ezért a degradáció csökkentése fontossá válik. Egyes rendszerekben a TaC fokozatosan felváltja a régebbi anyagokat, mint például a pBN-t, sőt néhány SiC-bevonatú alkatrészt is, bár ez továbbra is a költségektől és a folyamattervezéstől függ.