SiC bevonatú izosztatikus grafittégely
A Semixlab SiC bevonatú izosztatikus grafittégelyt igényes félvezető alkalmazásokhoz tervezték, amely a nagy sűrűségű izosztatikus grafitot CVD szilícium-karbid bevonattal ötvözi a páratlan hőstabilitás, tisztaság és tartósság érdekében. Széles körben használják SiC kristálynövesztésben (PVT módszer), szilícium egykristály növesztésben, valamint magas hőmérsékletű hőkezelési és diffúziós folyamatokban, ezek a tégelyek egyenletes hőeloszlást biztosítanak, minimalizálják a szennyeződést és meghosszabbítják az élettartamot.
Leírás
A Semixlab által kínált SiC bevonatú izosztatikus grafittégely prémium izosztatikus grafitból készül, amely egyenletes sűrűségéről, finomszemcsés szerkezetéről és extrém körülmények között mutatott kivételes mechanikai szilárdságáról ismert. A grafit felületére nagy tisztaságú kémiai gőzfázisú leválasztással (CVD) előállított szilícium-karbid (SiC) bevonatot visznek fel, amely egy sűrű és védő réteget hoz létre, amely jelentősen fokozza az oxidációs ellenállást, a hőstabilitást és a kémiai inertséget. Ez a fejlett anyagkombináció kiváló hővezető képességet, minimalizált szennyeződést, hosszabb élettartamot és állandó teljesítményt biztosít ultramagas hőmérsékletű félvezető-feldolgozási környezetben.
SPECIFIKÁCIÓK
Az anyag összetétele és tulajdonságai
Tégelyünket két fő anyagból készítjük:
· Izosztatikus grafit hordozó: Ezt az alapanyagot izosztatikus préselési eljárással állítják elő, amely egyenletes, nagy sűrűségű szerkezetet biztosít, kivételes mechanikai szilárdsággal és hőstabilitással. Ez az izotróp jelleg azt jelenti, hogy tulajdonságai minden irányban egységesek, megakadályozva a vetemedést és a repedést még extrém hőciklusok esetén is. Az általunk használt nagy tisztaságú grafit minimalizálja a szennyeződéseket, ami elengedhetetlen az érzékeny félvezető folyamatok szennyeződésének megakadályozásához.
·Szilícium-karbid (SiC) bevonat: A fejlett kémiai gőzfázisú leválasztási (CVD) módszerrel felvitt SiC réteg egy sűrű, nem porózus védőréteget hoz létre.
| A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai | |
| Ingatlanok | Tipikus érték |
| Kristályos szerkezet | FCC β fázisú polikristályos, főként (111) orientációjú |
| Sűrűség | 3.21 g / cm3 |
| Keménység | 2500 Vickers keménység (500 g-os terhelés) |
| Szemcseméret | 2 ~ 10μm |
| Kémiai tisztaság | 99.99995% |
| Hőkapacitás | 640 J·kg-1K-1 |
| Szublimációs hőmérséklet | 2700 ℃ |
| Hajlító szilárdság | 415 MPa RT 4-pontos |
| Young modulusa | 430 Gpa 4pt hajlítás, 1300 ℃ |
| Hővezető | 300 W·m-1K-1 |
| Hőtágulás (CTE) | 4.5 × 10-6K-1 |
Alkalmazási területek
Funkcionális szerep a félvezető folyamatokban
1. SiC kristálynövekedés (PVT módszer)
A SiC kristálynövesztés fizikai gőzszállítási (PVT) módszerében a tégely döntő szerepet játszik a kiváló minőségű kristályelőállítás elérésében. A SiC-bevonatú felület kémiailag stabil védőkörnyezetet biztosít, amely megakadályozza a grafitszubsztrátum és a nyers SiC alapanyag közötti nemkívánatos reakciókat. Ez minimalizálja a szénszennyeződést és javítja a kristályrács egyenletességét. A tégely kiváló hővezető képessége stabil hőeloszlást biztosít, ami kritikus fontosságú a hőmérséklet-gradiensek szabályozásához és a SiC gömböcskék diszlokációsűrűségének csökkentéséhez. Ennek eredményeként a tégely közvetlenül hozzájárul a kristályhozam és a szeletminőség javításához a félvezető eszközök további gyártásához.
2. Szilícium egykristályos növekedés
A szilícium egykristályos növesztési folyamatok (például a Czochralski-módszer) során a tégelynek ellenállnia kell a rendkívül magas hőmérsékleteknek, miközben megőrzi kémiai inertségét. A SiC bevonat védőrétegként szolgál az oxidáció és a szennyeződések diffúziója ellen, biztosítva, hogy ne kerüljön szennyeződés az olvadt szilíciumba. Ez nagy tisztaságú szilíciumkristályokat eredményez, kevesebb szerkezeti hibával, ami elengedhetetlen a fejlett integrált áramkörök, teljesítményeszközök és fotovoltaikus cellák gyártásához. Ezenkívül a bevonat növeli a tégely élettartamát, csökkentve a csere gyakoriságát és az általános termelési költséget.
3. Magas hőmérsékletű hőkezelés és diffúziós eljárások
A hőkezelési, lágyítási és diffúziós folyamatok során a félvezető ostyákat magas hőmérsékleteknek teszik ki, ahol a tisztaság és a stabilitás kiemelkedő fontosságú. A SiC-bevonatú olvasztótégely kiváló ellenállást biztosít a szublimációval és a gázkipárolgással szemben, megakadályozva a részecskék képződését, amelyek károsíthatnák az ostya felületét. Hőstabilitása biztosítja az egyenletes fűtési feltételeket, ami támogatja a pontos adalékanyag-diffúziót és az állandó ostyateljesítményt. A tiszta feldolgozási légkör fenntartásával és az anyagkárosodás minimalizálásával a olvasztótégely segít a gyártóknak megbízható, hibamentes ostyák előállításában nagyméretű gyártás során.
Versenyelőny
Semixlab előnyei
A Semixlab megbízható beszállítóként tűnik ki a precíziós mérnöki munka és a szigorú minőségbiztosítás ötvözésével. Minden SiC-bevonatú grafittégely szigorú gyári tesztelésen megy keresztül, hogy biztosítsa a bevonat tapadását, a vastagságának egyenletességét és a hőciklusok alatti teljesítményt. A vállalat egyedi megoldásokat kínál, a tégely méreteit, a bevonat vastagságát és a felületi tulajdonságokat az adott folyamatkövetelményeknek megfelelően testre szabva.
A gyártáson túl a Semixlab műszaki tanácsadást és alkalmazástámogatást is nyújt, segítve a félvezető mérnököket és a beszerzési csapatokat a folyamatkörülményeikhez legmegfelelőbb olvasztótégely-kialakítás kiválasztásában. A minőség és a testreszabás iránti erős elkötelezettségével a Semixlab megbízható ellátást és hosszú távú teljesítményt biztosít a fejlett félvezetőgyártáshoz.
Szolgáltatásaink

Semixlab termékbolt


EN
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ




