SiC bevonatú ostyatartó

A SiC bevonatú ostyatartó egy félvezető magas hőmérsékletű folyamatokhoz tervezett ostyatartó. Nagy tisztaságú grafit hordozót + CVD SiC bevonatot használ, kiváló korrózióállósággal, hősokk-állósággal és alacsony szennyezési jellemzőkkel rendelkezik, és széles körben használják olyan kulcsfontosságú folyamatokban, mint a SiC/GaN epitaxia, MOCVD, CVD és diffúzió, hogy biztosítsa a stabil átvitelt és a ostyák nagy hozamú gyártását magas hőmérsékletű környezetben.

Alkalmazás:

A SiC (szilícium-karbid) bevonatú szelethordozókat egyedi tulajdonságaiknak köszönhetően félvezetők, fotovoltaikus termékek, LED-ek és fejlett elektronikai gyártás területén használják.

Nyújtható szolgáltatások: 

Ügyfélalkalmazás-forgatókönyv elemzés, anyagok illesztése, műszaki problémamegoldás.

Műszaki paraméterek

Fő alkalmazási területek

Ökológiai lánc ellenőrzésének jóváhagyása

A Semixlab SiC bevonatú szelettartó nagy tisztaságú szilícium-karbid port használ, és ISO tanúsítvánnyal rendelkezik, így „megbízható partnerré” válik a csúcskategóriás félvezetőgyártásban, mérhető teljesítményjavulással (hozam, élettartam, tisztaság).

Tipikus jelentkezési folyamat

Aljzat előkezelés → Anyagválasztás → Megmunkálás → Tisztítás → Felület érdesítése (kémiai maratás) → SiC bevonat felhordása (kémiai gőzfázisú leválasztás (CVD)) → Utófeldolgozás → Magas hőmérsékletű hőkezelés → Felület polírozás → Hibaészlelés → Teljesítmény-ellenőrzés → Tapadásvizsgálat, korrózióállóság, hőciklus-vizsgálat → Tisztítás és csomagolás

A folyamatparaméterek optimalizálásával a Semixlab SiC bevonatú szelettartó áttörést ért el a félvezetőgyártási folyamatokban (például CVD, epitaxiális növekedés, maratás stb.), és fokozatosan felváltotta az importot a félvezető piacon. Ha részletes műszaki dokumentációra van szüksége, vagy mintavizsgálatot szeretne kezdeményezni, kérjük, vegye fel a kapcsolatot műszaki támogató csapatunkkal.

A Semixlab SiC bevonatú ostyatartó mag előnyei

Kiváló magas hőmérsékleti ellenállás

Magas hőmérsékleti stabilitás: A SiC olvadáspontja akár 2700 ℃, és hosszú ideig stabilan működhet 1000 ℃ ~ 1600 ℃ közötti folyamatkörnyezetben (például CVD, MOCVD, epitaxiális növekedés stb.), ami sokkal jobb, mint a rozsdamentes acél vagy alumíniumötvözet hordozók. Alacsony hőtágulási együtthatója van, nem könnyen deformálódik magas hőmérsékleten, és megőrzi az ostya pozicionálási pontosságát.

Hősokk-állóság: A SiC magas hővezető képességgel rendelkezik, gyorsan és egyenletesen képes elvezetni a hőt, és csökkenti a hirtelen hőmérséklet-változások okozta repedések kockázatát (tartósabb, mint a grafit).

Kiváló korrózió- és szennyeződésállóság

Ellenáll a korrozív gázoknak, például a HCl-nek, H2-nek, NH3-nak (gyakoriak a maratásban és az epitaxiális folyamatokban), megakadályozva a hordozó korrodálódását és a részecskeszennyeződést. Erős antioxidációs teljesítmény, stabilabb, mint a grafit magas hőmérsékletű, oxigéntartalmú környezetben (a grafit bevonatvédelmet igényel, míg maga a SiC ellenáll az oxidációnak). A SiC bevonat több mint 99.999%-os tisztaságot érhet el, megakadályozva, hogy a fémszennyeződések (például Fe, Ni) szennyezzék a lapkát, és különösen alkalmas szilícium alapú és széles tiltott sávú félvezetők (GaN, SiC) gyártásához.

Nagy mechanikai szilárdság és kopásállóság

Nagy keménységű (Mohs-keménység 9.2, a gyémánt után a második), a felület nem könnyen karcolódik, ami csökkenti a részecskék leválásának kockázatát és meghosszabbítja az élettartamot. Alkalmas gyakori érintkezést igénylő folyamatokhoz, mint például a CMP (kémiai-mechanikai polírozás), a kopásállósága jobb, mint a fém- vagy kerámiabevonatoknak. Nem deformálódik könnyen magas hőmérsékleti terhelés alatt, és megőrzi az ostya síkságát (szemben a grafittal, amely könnyen reped).

Kiváló hővezető képesség és hőegyenletesség

A gyors hővezetés biztosítja a lapka egyenletes felmelegedését (csökkenti az egyenetlen vastagságot az epitaxiális növekedés során). Alkalmas gyors hőmérséklet-emelkedési és -csökkenési folyamatokhoz (például RTP gyors hőkezelés) a termelési hatékonyság javítása érdekében. A SiC hőtágulási együtthatója közel áll a szilícium (Si) és szilícium-karbid (SiC) lapkákéhoz, csökkentve a hőfeszültség okozta rácshibákat.

Hosszú élettartam és alacsony karbantartási költség

Plazma környezetben (például szárazmaratás) a SiC jobb porlasztási ellenállással rendelkezik, mint az alumínium vagy a kvarc, és élettartama 3-5-szörösére is meghosszabbítható. A felület tömör és sima, és nem könnyen szívja magába a folyamatmaradványokat. Magas hőmérsékletű égetéssel vagy kémiai tisztítással újra felhasználható.

Kompatibilitás és tervezési rugalmasság

A SiC bevonatok olyan hordozókra vihetők fel, mint a grafit, a molibdén és a szénszál, figyelembe véve mind a könnyűséget, mind a nagy szilárdságot. CVD vagy porlasztási eljárásokkal komplex hordozószerkezetek (például porózus szerkezetek és beágyazott fűtőelemek) hozhatók létre.