TaC bevonatú LED epi-szuszceptor
| Származási hely: | Kína |
| Márkanév: | Semixlab |
| Modell száma: | TaC bevonatú LED epi szuszceptor-01 |
| Tanúsítványok: | ISO9001 |
| Minimális rendelési mennyiség: | Tárgyalás tárgyát képezi |
| Ár: | Személyre szabott árajánlatért vegye fel a kapcsolatot |
| Csomagolás Részletek: | Standard export csomag |
| Szállítási határidő: | 30-45 nap a megrendelés visszaigazolása után |
| Fizetési feltételek: | T / T |
| Supply Ability: | 100 egység/hónap |
Leírás
A TaC bevonatú LED epi-szuszceptor nagy tisztaságú tantál-karbid (TaC) bevonattechnológiát alkalmaz, amelyet kifejezetten MOCVD (fémorganikus kémiai gőzfázisú leválasztás) berendezésekhez terveztek, és alkalmas LED epitaxiális ostyák magas hőmérsékletű leválasztási folyamatához. A termék kiváló magas hőmérsékleti ellenállással, korrózióállósággal és hőstabilitással rendelkezik, ami jelentősen csökkentheti a szennyeződést és a részecskehullást, valamint meghosszabbíthatja az élettartamot. Ideális választás a LED epitaxiális ostyák hozamának és gyártási hatékonyságának javítására.
Alkalmazás:
A TaC bevonatú LED epi-szuszceptort kifejezetten MOCVD berendezésekhez tervezték, és főként LED epitaxiális ostyagyártásban használják, különösen gallium-nitrid (GaN) alapú kék és ultraibolya LED-ek epitaxiális növesztéséhez. Kielégíti a SiC/GaN teljesítmény félvezető eszközök gyártási igényeit is, és alkalmas magas hőmérsékletű CVD, MBE és egyéb anyagleválasztási kísérletekhez tudományos kutatóintézetekben.
Nyújtható szolgáltatások:
Ügyfélalkalmazás-forgatókönyv elemzés, anyagok illesztése, műszaki problémamegoldás.
Cégprofil:
A Semixlab 2 laboratóriummal, egy 20 éves anyagismerettel rendelkező szakértői csapattal, K+F, valamint gyártási, tesztelési és ellenőrzési képességekkel rendelkezik.
SPECIFIKÁCIÓK
Műszaki paraméterek
| program | paraméter |
| Aljzat anyaga | Nagy tisztaságú izosztatikus grafit (tisztaság ≥99.99%) |
| Bevonó anyag | Tantál-karbid (TaC) |
| Alkalmazható hőmérséklet | ≤1350°C (folyamatos üzemi hőmérséklet 1200°C) |
| Bevonat vastagsága | 50-200 μm (testreszabható) |
| Méretek | Támogatja a 2/4/6 hüvelykes epitaxiális ostya betöltést (támogatja az OEM testreszabást) |
Alkalmazási területek
Fő alkalmazási területek
| Alkalmazási irány | Tipikus forgatókönyv |
| LED epitaxiális ostyagyártás | Alkalmas GaN-alapú epitaxiális növekedéshez kék fényben, ultraibolya LED-ekben stb. |
| Tápegységek | SiC és GaN teljesítmény félvezető MOCVD eljárás. |
| Kutatási terület | Magas hőmérsékletű CVD, MBE és egyéb anyagleválasztási kísérletek. |
Ökológiai lánc ellenőrzésének jóváhagyása
A Semixlab TaC bevonatú LED epi szuszceptor ökológiai lánc-ellenőrzése a nyersanyagoktól a gyártásig terjed, megfelelt a nemzetközi szabványoknak, és számos szabadalmaztatott technológiával rendelkezik a félvezető és az új energiaforrások területén való megbízhatóság és fenntarthatóság biztosítása érdekében.
Tipikus jelentkezési folyamat
Nyersanyag-előkészítés (nagy tisztaságú grafitvizsgálat) → Hordozóanyag-előállítás (izosztatikus préselés) → TaC bevonási eljárás (CVD lerakódás) → Utófeldolgozás (precíziós polírozás) → Minőségellenőrzés → Csomagolás és szállítás
Ahogy a LED-technológia a kisebb méretek és a nagyobb pontosság felé fejlődik, mint például a Mini LED és a Micro LED, az MOCVD berendezések stabilitási és folyamatirányítási követelményei egyre magasabbak. A TaC bevonatú LED epi-szuszceptor népszerűsítése nemcsak a meglévő LED-gyártás hatékonyságát javíthatja, hanem megbízhatóbb gyártási alapot is biztosíthat a kijelzőtechnológia következő generációjához.
Részletes műszaki leírásokért, tanulmányokért vagy mintavizsgálati eljárásokért kérjük, vegye fel a kapcsolatot Műszaki Támogatási Csapatunkkal, hogy megtudja, hogyan növelheti a Semixlab a folyamatok hatékonyságát.
Versenyelőny
A Semixlab TaC bevonatú LED epi-szuszceptor mag előnyei
Szuper magas hőmérsékleti ellenállás
A TaC-bevonatú LED epitaxiális szuszceptorok nagy tisztaságú tantál-karbid anyagból készülnek, amely hosszú ideig stabilan működik 1200°C feletti magas hőmérsékletű környezetben. Még a MOCVD eljárás szélsőséges hőmérsékleti körülményei között sem reped meg vagy válik le a bevonat, biztosítva az epitaxiális növekedési folyamat egyenletességét és konzisztenciáját, és hatékonyan javítva a termékhozamot.
Kiváló korrózióállóság
A LED epitaxiális ostyák gyártási folyamata során a szuszceptort hosszú ideig korrozív gázkörnyezetnek, például H2-nek és NH3-nak kell kitenni. A TaC bevonat rendkívül erős kémiai inertséggel rendelkezik, hatékonyan ellenáll a gázeróziónak, és elkerüli az oxidáció vagy reakció során keletkező szennyeződéseket, ezáltal biztosítva az epitaxiális ostya tisztaságát és optoelektronikai teljesítményét.
Alacsony hődeformáció
A TaC bevonat hőtágulási együtthatója nagymértékben illeszkedik a grafit hordozóéhoz, és a szuszceptor rendkívül alacsony hődeformációs sebességet tud fenntartani még a gyors hőmérséklet-emelkedés és -csökkenés során is. Ez a tulajdonság nagymértékben csökkentheti az epitaxiális ostyavetemedés kockázatát, biztosíthatja az epitaxiális réteg egyenletes növekedését és javíthatja a termék konzisztenciáját.
Magas felületi minőség
A szuszceptor felülete precízen polírozott, az érdességet 0.5 μm alatt tartják, ami hatékonyan csökkenti a hibaszázalékot az epitaxiális növekedés során. A sima felület csökkentheti az epitaxiális ostya és a szuszceptor közötti tapadást is, így könnyebben eltávolítható az ostya, és csökken a ostya törésének kockázata.
Hosszú élettartamú design
A hagyományos grafit szuszceptorokhoz képest a TaC bevonat jobb kopásállósággal és korrózióállósággal rendelkezik, élettartama pedig több mint háromszorosára növelhető. Ez nemcsak a fogyóeszközök cseréjének gyakoriságát csökkenti, hanem a szuszceptor öregedése okozta folyamatingadozásokat is, ami hosszú távon jelentősen csökkentheti a termelési költségeket.
Szolgáltatásaink

Semixlab termékbolt


EN
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ




