Szilícium-karbid kemencecső

A Semixlab ultra-nagy tisztaságú SiC kemencecső-rendszert, félvezető minőségű hőtér-megoldásokat kínál 99.9999%-os bevonattisztasággal és komplett gyártósor-szállítással.

Alapvető értékajánlat

Nulla szennyezésű termikus környezetet biztosít a wafergyártáshoz: 99.9%-os SiC tisztaságú hordozó + 99.9999%-os tisztaságú CVD bevonat, kombinálva egy komplett SiC konzolos lapát- és wafercsónak rendszerrel a folyamatkamrában a nulla fémszennyezés elérése érdekében.

Különböző terméknevek:

Magas hőmérsékletű SiC kemencecső; szilícium-karbid cső; nagy tisztaságú SiC cső; szilícium-karbid cső diffúziós kemencéhez; szilícium-karbid cső diffúziós és LPCVD eljáráshoz; SiC cső RTP-hez, SiC cső oxidációhoz

Alapvető specifikációk:

Anyagtisztaság: Az alapanyag szilícium-karbid, amelynek tisztasága meghaladja a 99.9%-ot, a CVD bevonat utáni tisztaság pedig meghaladja a 99.9999%-ot (6N minőség).

Hőteljesítmény: Maximális üzemi hőmérséklet 1650 ℃ (hosszú távú), hőtágulási együttható: 4.6×10⁻⁶/℃, egyenletesség az állandó hőmérsékleti zónában: ±1.5 ℃ (1200 ℃);

Mechanikai szilárdság: Hajlítószilárdság 450 MPa (szobahőmérsékleten).

Főbb felhasználások

Hőmező hordozó

Hozzon létre stabil és egyenletes hőmérsékleti mezőt 1200 ℃ és 1650 ℃ közötti tartományban (a hőmérsékletkülönbség az állandó hőmérsékleti zónában ≤±1.5 ℃)

Biztosítsa az olyan folyamatok termodinamikai feltételeit, mint a diffúzió, az oxidáció és a hőkezelés.

Szennyezésszigetelő gát

Blokkolja a fémionok (például Fe/Ni/Cu stb.) diffúzióját nagy tisztaságú anyagokon (például SiC-on) keresztül.

Meg kell akadályozni a technológiai gázok és a külső környezet közötti keresztszennyeződést.

Technológiai gázcsatorna

A reakciógázok (például O₂/N₂/SiH₄ stb.) áramlási irányának és eloszlásának pontos szabályozása

Egyenletes gázfázisú reakciók elérése az ostya felületén (például SiO₂ növekedés).

Fotovoltaikus bevonat: Támogatja a TOPCon/HJT cella PECVD eljárással történő ostyaszállítást.

Alkalmazási forgatókönyvek

● Epitaxia

● Oxidáció/Diffúzió

● LPCVD/PECVD eljárás

● III-V vegyület félvezetők hőkezelése

Megoldások az iparági fájdalompontokra

Megoldásaink ügyfeleink problémáira keresnek megoldást:

1. Magas hőmérsékletű folyamat részecskeszennyeződése: a 6N bevonat blokkolja a szennyeződések kicsapódását.

A kvarc alkatrészekben a SiC gyakori cseréje 8-szorosára növeli a korrózióállóságot.

2. Hőtágulási együttható (CTE) konzisztencia-tervezés a hőtágulási komponensek hőtágulási eltérésének figyelembevételével a teljes SiC anyagsorozatban.

3. Ultrapolírozott felületkezelés a lapka hátoldalán található fémszennyeződések eltávolítására (Ra 0.2 μm).

Az alkatrész műszaki jellemzőinek fő előnyei:

1. SiC kemencecső - Alapanyag tisztasága: 99.9% szinterezett szilícium-karbid

▶ A hősokk-állóság háromszorosára nő (gyors hűtés > 1600 ℃)

A hőtágulási együttható mindössze 4.6×10⁻⁶/℃

Nanoskálájú bevonat - 6N minőségű nagy tisztaságú SiC (99.9999%) CVD leválasztása

▶ Fémek, például Fe és Ni diffúziójának blokkolása

▶ Felületi érdesség Ra < 0.5 μm

2. SiC ostyahajó - 12 hüvelykes ostyákkal kompatibilis

- Többrétegű teherhordó kialakítás

▶ 100%-os hőillesztés a kemencecsövekkel

Az ostya szennyezettségi aránya kevesebb, mint 0.01 ppb

3. Konzolos lapátrendszer - izosztatikus grafit hordozó + SiC bevonat

- Automatikus beállítási pontosság ±0.1 mm

▶ Kúszási ellenállási élettartam > 100 000-szer

Az átviteli rezgés kevesebb, mint 5 μm

Forradalmi technológiai újdonságok

A tisztaság forradalma

Kétszintű védelmi rendszer

Az alapréteg 99.9%-ban SiC → nagy szilárdságú vázszerkezet létrehozása érdekében

A funkcionális rétegben található 6N-szintű CVD-SiC atomi szintű lezárást képez
korlát

Szennyeződés-szabályozás: Na/K < 0.1 ppm, nehézfémek < 5 ppb, megfelel a 28 nm alatti folyamatok követelményeinek

Rendszer szinergia előny

● Hőmező egyenletessége: A kemencecső + ostyahajó + lapátlap hármas hőcsatlakozó kialakítása, az állandó hőmérsékleti zónában (> 1200 ℃) a hőmérsékletkülönbség ≤±1.5 ℃

● Élettartam-megduplázódás: A teljes megoldás 40%-kal meghosszabbítja az élettartamot a hibrid rendszerhez képest, az MTBA meghaladja a 8,000 órát