Minden kategória
SiC kerámia
Nagy tisztaságú SiC hajó
Nagy tisztaságú SiC hajó

Nagy tisztaságú SiC hajó


Származási hely: Kína
Márkanév: Semixlab
Modell száma: Nagy tisztaságú SiC hajó-01
Tanúsítványok: ISO9001
Minimális rendelési mennyiség: Tárgyalás tárgyát képezi
Ár: Személyre szabott árajánlatért vegye fel a kapcsolatot
Csomagolás Részletek: Standard export csomag
Szállítási határidő: 45-60 nap a megrendelés visszaigazolása után
Fizetési feltételek: T / T
Supply Ability: 50 egység/hónap
Leírás

A nagy tisztaságú szilícium-karbid (SiC) csónak egy nagy teljesítményű kerámia hordozó, amelyet magas hőmérsékletű félvezető eljárásokhoz, kristálynövesztéshez és precíziós hőkezeléshez terveztek. Ultra nagy tisztaságú SiC anyaggal szinterelik, és kiváló magas hőmérsékleti ellenállással, hősokk-állósággal és kémiai stabilitással rendelkezik. Széles körben használják félvezető diffúzióban, CVD-ben, LED-epitaxiában és fotovoltaikus egykristály-növesztésben.

Alkalmazás:

A nagy tisztaságú SiC hajó egy kulcsfontosságú félvezető feldolgozási fogyóeszköz, amelyet főként ostyák magas hőmérsékletű környezetben történő szállítására és átvitelére használnak, és széles körben alkalmazzák szilícium ostyák diffúziójában, oxidációjában, lágyításában és CVD folyamatokban. Különösen alkalmas harmadik generációs félvezetők (például SiC/GaN) és teljesítményeszközök magas hőmérsékletű folyamataihoz.

Nyújtható szolgáltatások:

Ügyfélalkalmazás-forgatókönyv elemzés, anyagok illesztése, műszaki problémamegoldás.

Cégprofil:

A Semixlab 2 laboratóriummal, egy 20 éves anyagismerettel rendelkező szakértői csapattal, K+F, valamint gyártási, tesztelési és ellenőrzési képességekkel rendelkezik.

SPECIFIKÁCIÓK

Műszaki paraméterek

program paraméter
Anyag típusa Szinterelt szilícium-karbid (SSiC/RSiC)
Sűrűség 3.0-3.2 g / cm3
Hővezető 120-150 W/m·K
Maximális üzemi hőmérséklet 1600°C (oxidáló légkör)
Felületi érdesség Ra ≤0.5 μm (polírozható)

Alkalmazási területek

Fő alkalmazási területek

Alkalmazási irány Tipikus forgatókönyv
Félvezető ipar Hordozók az ostyadiffúziós, hőkezelési és oxidációs folyamatokban.
Epitaxiális növekedést támogató eszközök (például SiC epitaxia).
LED/MOCVD Tálcákként a GaN és LED chipek növekedési folyamatában.
Fotovoltaikus ipar Napelemek magas hőmérsékletű szinterezésére használják.
Kutatási terület Magas hőmérsékletű kísérletekhez (például anyagszintézishez és hőkezeléshez) használt tartályok.

Ökológiai lánc ellenőrzésének jóváhagyása

A Semixlab nagy tisztaságú SiC hajó ökológiai lánc-ellenőrzése a nyersanyagoktól a gyártásig terjed, megfelelt a nemzetközi szabványtanúsítványoknak, és számos szabadalmaztatott technológiával rendelkezik a félvezető és az új energiaágazat megbízhatóságának és fenntarthatóságának biztosítása érdekében.

Tipikus jelentkezési folyamat

Nyersanyag-előkészítés (nagy tisztaságú SiC por) → Formázási folyamat (száraz préselés/izosztatikus préselés) → Szinterelési folyamat → Megmunkálás és felületkezelés (CNC csiszolás/polírozás, kémiai maratás, lágyítás) → Tisztítás és CVD bevonatolás → Minőségellenőrzés → Csomagolás

A legmodernebb folyamatparaméter-optimalizálásnak köszönhetően a Semixlab nagytisztaságú SiC hajó egyedi szerkezeti kialakítása kiváló ostyastabilitást biztosít, miközben jelentősen csökkenti a részecskeszennyeződés kockázatát. Élettartama elérheti a hagyományos kvarchajóké 5-8-szorosát, így ideális hordozómegoldás a magas hőmérsékletű ostyafeldolgozáshoz. Ez az innováció lehetővé teszi, hogy fokozatosan kiváltsa az importot a félvezető piacon, nagy teljesítményű, költséghatékony hazai megoldást kínálva.

Részletes műszaki leírásokért, tanulmányokért vagy mintavizsgálati eljárásokért kérjük, vegye fel a kapcsolatot Műszaki Támogatási Csapatunkkal, hogy megtudja, hogyan növelheti a Semixlab a folyamatok hatékonyságát.

Versenyelőny

A Semixlab nagy tisztaságú SiC hajómag előnyei

1. Rendkívüli tisztaság (legfontosabb előny)

A Semixlab nagy tisztaságú SiC hajó ultramagas tisztaságú (≥99.9999%), a szennyeződések (Fe, Al, Na stb.) tartalma pedig 1 ppm szinten van szabályozva, hogy elkerüljük a lapkák vagy epitaxiális anyagok szennyeződését, ami különösen alkalmas SiC/GaN félvezető gyártáshoz.

2. Kémiai inertség (korrózióállóság)

Ellenáll a savaknak, lúgoknak/plazma eróziónak, és ellenáll a korrozív gázoknak, például HF-nek, HCl-nek, H2-nek (például félvezető maratási eljárásoknál). Magas hőmérsékleten nem bocsát ki gázt.

3. Mechanikai szilárdság és élettartam

Rendkívül nagy keménység, kiváló kopásállóság, csökkenti a részecskehullás kockázatát és meghosszabbítja az élettartamot (általában 3-5-szöröse a kvarccsónakok élettartamának). Magas hőmérsékleten nem könnyen deformálódik, megőrzi az ostya síkfelületét (például diffúziós kemencében <0.1 mm-es vetemedés).

4. Folyamatkompatibilitás

Különböző zord környezetekhez, oxidációs/redukciós atmoszférákhoz (például O2, H2, Ar) és CVD/PVD bevonási eljárásokhoz alkalmazható. A felület testreszabható, például polírozással (Ra<0.1 μm) vagy bevonattal (például SiO2) a szennyeződés további csökkentése érdekében.

Szolgáltatásaink

Semixlab termékbolt

ÉRDEKLŐDÉS

Forró kategóriák