Nagy tisztaságú SiC hajó
| Származási hely: | Kína |
| Márkanév: | Semixlab |
| Modell száma: | Nagy tisztaságú SiC hajó-01 |
| Tanúsítványok: | ISO9001 |
| Minimális rendelési mennyiség: | Tárgyalás tárgyát képezi |
| Ár: | Személyre szabott árajánlatért vegye fel a kapcsolatot |
| Csomagolás Részletek: | Standard export csomag |
| Szállítási határidő: | 45-60 nap a megrendelés visszaigazolása után |
| Fizetési feltételek: | T / T |
| Supply Ability: | 50 egység/hónap |
Leírás
A nagy tisztaságú szilícium-karbid (SiC) csónak egy nagy teljesítményű kerámia hordozó, amelyet magas hőmérsékletű félvezető eljárásokhoz, kristálynövesztéshez és precíziós hőkezeléshez terveztek. Ultra nagy tisztaságú SiC anyaggal szinterelik, és kiváló magas hőmérsékleti ellenállással, hősokk-állósággal és kémiai stabilitással rendelkezik. Széles körben használják félvezető diffúzióban, CVD-ben, LED-epitaxiában és fotovoltaikus egykristály-növesztésben.
Alkalmazás:
A nagy tisztaságú SiC hajó egy kulcsfontosságú félvezető feldolgozási fogyóeszköz, amelyet főként ostyák magas hőmérsékletű környezetben történő szállítására és átvitelére használnak, és széles körben alkalmazzák szilícium ostyák diffúziójában, oxidációjában, lágyításában és CVD folyamatokban. Különösen alkalmas harmadik generációs félvezetők (például SiC/GaN) és teljesítményeszközök magas hőmérsékletű folyamataihoz.
Nyújtható szolgáltatások:
Ügyfélalkalmazás-forgatókönyv elemzés, anyagok illesztése, műszaki problémamegoldás.
Cégprofil:
A Semixlab 2 laboratóriummal, egy 20 éves anyagismerettel rendelkező szakértői csapattal, K+F, valamint gyártási, tesztelési és ellenőrzési képességekkel rendelkezik.
SPECIFIKÁCIÓK
Műszaki paraméterek
| program | paraméter |
| Anyag típusa | Szinterelt szilícium-karbid (SSiC/RSiC) |
| Sűrűség | 3.0-3.2 g / cm3 |
| Hővezető | 120-150 W/m·K |
| Maximális üzemi hőmérséklet | 1600°C (oxidáló légkör) |
| Felületi érdesség | Ra ≤0.5 μm (polírozható) |

Alkalmazási területek
Fő alkalmazási területek
| Alkalmazási irány | Tipikus forgatókönyv |
| Félvezető ipar | Hordozók az ostyadiffúziós, hőkezelési és oxidációs folyamatokban. |
| Epitaxiális növekedést támogató eszközök (például SiC epitaxia). | |
| LED/MOCVD | Tálcákként a GaN és LED chipek növekedési folyamatában. |
| Fotovoltaikus ipar | Napelemek magas hőmérsékletű szinterezésére használják. |
| Kutatási terület | Magas hőmérsékletű kísérletekhez (például anyagszintézishez és hőkezeléshez) használt tartályok. |
Ökológiai lánc ellenőrzésének jóváhagyása
A Semixlab nagy tisztaságú SiC hajó ökológiai lánc-ellenőrzése a nyersanyagoktól a gyártásig terjed, megfelelt a nemzetközi szabványtanúsítványoknak, és számos szabadalmaztatott technológiával rendelkezik a félvezető és az új energiaágazat megbízhatóságának és fenntarthatóságának biztosítása érdekében.
Tipikus jelentkezési folyamat
Nyersanyag-előkészítés (nagy tisztaságú SiC por) → Formázási folyamat (száraz préselés/izosztatikus préselés) → Szinterelési folyamat → Megmunkálás és felületkezelés (CNC csiszolás/polírozás, kémiai maratás, lágyítás) → Tisztítás és CVD bevonatolás → Minőségellenőrzés → Csomagolás
A legmodernebb folyamatparaméter-optimalizálásnak köszönhetően a Semixlab nagytisztaságú SiC hajó egyedi szerkezeti kialakítása kiváló ostyastabilitást biztosít, miközben jelentősen csökkenti a részecskeszennyeződés kockázatát. Élettartama elérheti a hagyományos kvarchajóké 5-8-szorosát, így ideális hordozómegoldás a magas hőmérsékletű ostyafeldolgozáshoz. Ez az innováció lehetővé teszi, hogy fokozatosan kiváltsa az importot a félvezető piacon, nagy teljesítményű, költséghatékony hazai megoldást kínálva.
Részletes műszaki leírásokért, tanulmányokért vagy mintavizsgálati eljárásokért kérjük, vegye fel a kapcsolatot Műszaki Támogatási Csapatunkkal, hogy megtudja, hogyan növelheti a Semixlab a folyamatok hatékonyságát.
Versenyelőny
A Semixlab nagy tisztaságú SiC hajómag előnyei
1. Rendkívüli tisztaság (legfontosabb előny)
A Semixlab nagy tisztaságú SiC hajó ultramagas tisztaságú (≥99.9999%), a szennyeződések (Fe, Al, Na stb.) tartalma pedig 1 ppm szinten van szabályozva, hogy elkerüljük a lapkák vagy epitaxiális anyagok szennyeződését, ami különösen alkalmas SiC/GaN félvezető gyártáshoz.
2. Kémiai inertség (korrózióállóság)
Ellenáll a savaknak, lúgoknak/plazma eróziónak, és ellenáll a korrozív gázoknak, például HF-nek, HCl-nek, H2-nek (például félvezető maratási eljárásoknál). Magas hőmérsékleten nem bocsát ki gázt.
3. Mechanikai szilárdság és élettartam
Rendkívül nagy keménység, kiváló kopásállóság, csökkenti a részecskehullás kockázatát és meghosszabbítja az élettartamot (általában 3-5-szöröse a kvarccsónakok élettartamának). Magas hőmérsékleten nem könnyen deformálódik, megőrzi az ostya síkfelületét (például diffúziós kemencében <0.1 mm-es vetemedés).
4. Folyamatkompatibilitás
Különböző zord környezetekhez, oxidációs/redukciós atmoszférákhoz (például O2, H2, Ar) és CVD/PVD bevonási eljárásokhoz alkalmazható. A felület testreszabható, például polírozással (Ra<0.1 μm) vagy bevonattal (például SiO2) a szennyeződés további csökkentése érdekében.
Szolgáltatásaink

Semixlab termékbolt


EN
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ




