SiC ostyahajó
A Semixlab SiC ostyahajókat kifejezetten a félvezetőgyártás magas hőmérsékletű diffúziós követelményeire tervezték. Sűrű, szinterezett szilícium-karbidból készülnek, kivételes szilárdságot, kémiai inertséget és részecskementes teljesítményt nyújtanak akár 1,800 °C-ig. Standard és egyedi specifikációkat is kínálunk gyors szállítással, biztosítva a megbízható ostyakezelést és a kritikus folyamatok élettartamának meghosszabbítását.
Leírás
Ⅰ. Optimalizálja magas hőmérsékletű diffúziós folyamatait a Semixlab SiC szelethajókkal
A félvezetőgyártás igényes világában a waferek integritása és tisztasága a magas hőmérsékletű diffúziós folyamatok során kiemelkedő fontosságú. A Semixlab SiC (szilícium-karbid) wafer hajókat kínál, amelyeket a fejlett gyártás legszigorúbb követelményeinek megfelelően terveztek, biztosítva a megbízható teljesítményt és maximalizálva a folyamathozamokat.

II. SiC ostyahajó alkalmazások:
SiC vízszintes, négyzet alakú ostyahajóink ideális megoldást jelentenek az ostyák biztonságos rögzítésére kritikus, magas hőmérsékletű diffúziós folyamatok során. Stabilitásra és precízióra tervezve, nélkülözhetetlen alkotóelemei azokban a létesítményekben, ahol kiváló hő- és kémiai ellenállásra van szükség az ostyakezelési igényekhez.
III. Alapvető jellemzők igényes környezetekhez:
A Semixlab SiC szeletmegmunkáló hajóit úgy gyártják, hogy rendelkezzenek a magas hőmérsékletű félvezető alkalmazásokban való sikerhez elengedhetetlen kulcsfontosságú tulajdonságokkal:
●Kivételes magas hőmérsékletű szilárdság: SiC ostyahajóink még extrém hőterhelés alatt is megőrzik szerkezeti integritásukat és alakjukat, megakadályozva a vetemedést vagy deformációt, amely veszélyeztethetné az ostyák illesztését és a folyamat állandóságát.
● Kiváló magas hőmérsékletű kémiai stabilitás: Korszerű szilícium-karbidból készült hajóink kiemelkedő ellenállást mutatnak a diffúziós kemencékben általánosan használt korrozív gázokkal és vegyszerekkel szemben, minimalizálva a szennyeződés kockázatát és meghosszabbítva a termék élettartamát.
●Nulla részecske keletkezés: Tudjuk, hogy a mikroszkopikus részecskék súlyosan befolyásolhatják az eszköz teljesítményét. Gondos gyártási folyamataink biztosítják, hogy a Semixlab SiC ostyahajók gyakorlatilag mentesek a részecskehullástól, megvédve értékes ostyáit a szennyeződéstől.
Ⅳ. Miért válassza a Semixlab-ot a wafer hajóihoz?
A Semixlabbal való partnerség a SiC wafer hajó igényeinek kielégítésében a minőség, a megbízhatóság és a precizitás iránti elkötelezettséget jelenti.
✔Különböző specifikációk és testreszabási lehetőségek: Széles választékban kínálunk szabványos SiC ostyahajó specifikációkat, hogy illeszkedjenek a különféle kemencetípusokhoz és ostyaméretekhez. Ezenkívül tapasztalt mérnöki csapatunk átfogó testreszabási szolgáltatásokat nyújt, hogy az Ön egyedi folyamatkövetelményeire szabott megoldásokat tervezzen és gyártson.
✔Prémium sűrűségű szinterezett szilícium-karbid anyag: SiC ostyahajóink sűrű szinterezett szilícium-karbid anyagból készülnek, amely kiváló mechanikai tulajdonságairól, hővezető képességéről és tisztaságáról ismert, amelyek kritikus fontosságúak az igényes félvezető alkalmazásokban.
✔Meghosszabbított élettartam: A sűrű szinterezett SiC inherens tartósságának és ellenállásának köszönhetően lapka alakú hajóink hosszú üzemidőt biztosítanak, jelentősen csökkentve a csere gyakoriságát és az üzemeltetési költségeket.
SPECIFIKÁCIÓK
| A szinterezett szilícium-karbid fizikai tulajdonságai | |
| Ingatlanok | Tipikus érték |
| Kémiai összetétel | SiC>95%, Si<5% |
| Testsűrűség | >3.07 g/cm³ |
| Látszólagos porozitás Látszólagos porozitás | |
| Szakadási modulus 20 ℃-on | 270 MPa |
| Szakadási modulus 1200 ℃-on | 290 MPa |
| Keménység 20 ℃-on | 2400 XNUMX Kg/mm² |
| 20%-os törési szilárdság | 3.3 MPa · m1/2 |
| Hővezető képesség 1200 ℃-on | 45 W/m·K |
| Hőtágulás 20-1200 ℃ között | 4.5 1 × 10-6/℃ |
| Max. üzemi hőmérséklet | 1400 ℃ |
| Hőütésállóság 1200 ℃-on | Jó |
Szolgáltatásaink

Semixlab termékbolt


EN
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ







