SiC élgyűrű ostyafeldolgozáshoz

Modern SiC élgyűrű gyártási folyamat

A SiC élgyűrűk gyártása összetett és precíz folyamat. Először a SiC nyersanyagport szigorú tisztításnak vetik alá a nagy tisztaság (>99.999%) elérése érdekében. Ezt a port izosztatikus vagy száraz préseléssel alakítják ki. Ezután 2100°C és 2400°C közötti hőmérsékleten szinterelik, így sűrű kerámia testet képeznek. Ezt követően gyémántcsiszolási és polírozási technikákkal precíziós megmunkálásnak vetik alá, hogy rendkívül alacsony felületi érdességet érjenek el (Ra < 0.1 µm). Végül szigorú tisztításon és részecskevizsgálaton esik át, hogy biztosítsák a félvezetőgyártás tisztasági szabványainak való megfelelést.

A SiC élgyűrű fő felhasználási módjai

A SiC élgyűrű létfontosságú szerepet játszik a szeletgyártás kritikus lépéseiben, mint például a maratás és a leválasztás. Elsődleges funkciója a szelet élének védelme, a teljes szeletfelületen a folyamat egyenletességének biztosítása és a belső kamraalkatrészek élettartamának meghosszabbítása.

Íme a legfontosabb alkalmazások:

Ostyaél-védelem: Plazmamaratás során a védelem nélküli ostyaszélek eltérő marási sebességet tapasztalhatnak, mint a központi terület. Ez a ostyaszélen (éllapka) lévő chipek specifikációtól eltérő paraméterekhez vezet, ami jelentősen csökkenti az összhozamot. A SiC élgyűrű fizikai gátként működik, hatékonyan elnyomva az élplazma-effektust, így biztosítva az egyenletes feldolgozást az ostya közepétől a széléig.

Plazmaeloszlás szabályozása: A plazma alapú eljárásokban a plazma sűrűsége és eloszlása ​​közvetlenül befolyásolja a végeredményt. A SiC élgyűrű jelenléte módosítja a plazma határfeltételeit a reakciókamrában, ami egyenletesebb plazmaeloszlást eredményez a lapka felületén. Ez kritikus fontosságú azoknál a folyamatoknál, amelyek rendkívül nagy egyenletességet igényelnek, mint például a mélyárok-maratás vagy a többrétegű dielektromos maratás.

Szennyeződésmegelőzés és alkatrész-élettartam: Bizonyos folyamatok során melléktermékek és lerakódások képződhetnek a lapka szélén. Ellenőrzés nélkül ezek az anyagok szennyezhetik a kamra falait, az elektrosztatikus tokmányt és más drága alkatrészeket. A SiC élgyűrű hatékonyan felfogja és megakadályozza ezeknek a szennyeződéseknek a terjedését, védi az értékes kamraalkatrészeket és csökkenti a kamratisztítás gyakoriságát. Ez viszont növeli a berendezés üzemidejét.

Ideális fogyóeszközként plazmamaratáshoz és vékonyréteg-leválasztó berendezésekhez, SiC élgyűrűnk segít kiküszöbölni a lapka élhatásait, biztosítva az egyenletes maratást és lerakódást a középponttól a széléig. Emellett megvédi a drága belső kamraalkatrészeket, csökkentve a lerakódások felhalmozódását és meghosszabbítva a berendezések üzemidejét. Eközben hatékonyan elvezeti a hőt, így a lapka hőmérséklete nagy teljesítményű folyamatok során is állandó marad.

A Semixlab SiC Edge Ring kiválasztása nagyobb chiphozamot, stabilabb gyártási folyamatokat és alacsonyabb berendezés-karbantartási költségeket jelent. Őszintén várjuk, hogy testreszabott termékeket és műszaki támogatást nyújthassunk Önnek. Szívesen fogadjuk további megkereséseit.